Диодный мост mb10f чем заменить
Диодный мост MB10F
MB10F — кремниевый диодный модуль по схеме мостового выпрямителя. Конструктивное исполнение — MBF-корпус для поверхностного монтажа (SMD).
Корпус, распиновка, схема
Предназначение
Предназначен для двухполупериодного выпрямления однофазного переменного напряжения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры, зарядных устройствах, адаптерах и т. п.
Характерные особенности
Характеристики, представленные ниже, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.
Предельные эксплуатационные характеристики
Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В | 1000 | ||
| Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, В | URMS | 700 | |
| Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, В | UDC | 1000 | |
| Максимальный среднеквадратичный прямой ток, А | IF(AV) | 0,5 | |
| Ta = 110°C | 0,8 | ||
| Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, А | IFSM | 30 | |
| Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 63 ٭ | |
| Тепловое сопротивление p/n-переход – внешний вывод, °С/Вт | RƟJL | 39 ٭ | |
| Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А 2 с | I 2 t | 3,74 ٭٭ | |
| Диапазон рабочих температур п/п структуры, °С | TJ | ||
| Диапазон температур хранения, °С | Tstg | -55°С…+150°С | |
٭ — на каждый элемент диодного модуля.
٭٭ — при протекании импульса тока длительностью 1 мс…8,3 мс.
Электрические параметры
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Особенности измерений | Величина |
|---|---|---|---|
| Обратное напряжение пробоя, В | IR = 5 мкА | ||
| Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, В | UF | IF = 0,8 А | 1,1 |
| Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА | IR | Ta = 25°C | ≤ 5,0 |
| Ta = 100°C | ≤ 500,0 | ||
| Емкость p/n перехода при обратном напряжении, пФ | CT | 8 |
Модификации (версии) диодного моста MB10F
| Тип | IR | IR | SMD | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 700 | 0,5 | 25 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | MBF | ||
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 35 | 150 | 75 | 1 | 5 | 500 | 15 | MB-F |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 90 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 30 | 150 | — | 5 | 500 | — | MB-F | |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 35 | 150 | 70 | 1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FB | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 95 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10FH | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 70 | 1,1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FK | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | 60 | 1,1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FN | 1000 | 700 | — | 0,5 | 25 | 150 | 120 | 0,95 | 5 | 500 | 13 | MBF |
| MB10FU | 1000 | 700 | — | 1 | 35 | 150 | 120 | 1,1 | 5 | 500 | 25 | MBF |
| MB10F-S | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | — | MBF-S |
| 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 60 | 1 | 5 | 500 | 13 | ||
| MB10F-0,5 | 1000 | 700 | 1000 | 0,5 | 20 | 150 | 110 | 1,1 | 5 | 40 | 11 | MBF |
| MB10F-10 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | 80 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10F-12 | 1000 | 700 | 1000 | 1,2 | 40 | 150 | 75 | 1,1 | 5 | 80 | 18 | MBF |
| MB10F-13 | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 63 | 1,1 | 5 | 500 | 8 | MBF |
| MB10F-15 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 150 | 70 | 1,1 | 5 | 100 | 25 | MBF |
| MB10F-PJ | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 90 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
Аналоги
Для замены могут подойти блоки диодные кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
| Тип | Ta | RƟJA | UF | IR | IR | CT | Корпус | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,5 | 25 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | |
| 600 | — | — | 1 | — | 85 | — | 4 | — | 125 | — | — | |
| КЦ403А/Ж | 600 | — | — | 1 | — | 85 | — | 4 | — | 125 | — | — |
| КЦ404А/Ж | 600 | — | — | 1 | — | 85 | — | 4 | — | 125 | — | — |
| КЦ405А/Ж | 600 | — | — | 1 | — | 85 | — | 4 | — | 125 | — | — |
Зарубежное производство
| Тип | TJ | UF | IR | IR | CT | Корпус, примечания | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 25 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | MBF (SMD) | |||||
| DB107 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 50 | 150 | — | 1,1 | 10 | 500 | — | DB-1 (SMD) |
| DB107S | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 50 | 125 | — | 1,1 | 10 | 500 | — | DB-1S (SMD) |
| DB157 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 60 | 150 | — | 1,1 | 5 | 500 | — | DB-1 (SMD) |
| DB157S | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 60 | 150 | 40 | 1,1 | 5 | 500 | — | DB-S (SMD) |
| DF10 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 30 | 150 | 40 | 1,1 | 10 | 500 | 25 | DIL (SMD) |
| B10S | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 85 | 1 | 5 | — | 25 | MDI (SMD) |
| B10S | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | — | 1 | 5 | 500 | — | MB-S (SMD) |
| B500S | 1000 | 500 | — | 1 | 40 | 150 | 60 | 1,1 | 10 | — | — | SO-DIL (SMD) |
| MS500 | 1000 | 500 | — | 0,5 | 20 | 150 | 70 | 10 | — | — | ||
| B500C800 | 1200 | 500 | 1200 | 0,8 | 45 | 125 | — | 1 | 5 | 500 | — | WOB * |
| 1200 | 500 | 1200 | 1 | 45 | 125 | — | 1 | 10 | 500 | — | WOB * | |
| W10M | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 40 | 125 | 36 | 1 | 10 | 500 | — | WOB * |
| W10L | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | — | 1 | 10 | — | RC2 * | |
| W10G | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | 36 | 1 | 10 | 1000 | 24 | AM * |
| RB157 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | — | 1 | 10 | 1000 | — | RB-15 * |
| KBP10M | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 150 | 28 | 1,1 | 10 | 500 | 15 | KBP * |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Вид обратной ветви ВАХ выпрямителя. Зависимость обратного тока утечки IRот обратного приложенного напряжения на каждом из диодов моста UR (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.
Рис. 2. Зависимость емкости p/n перехода диода моста CT от величины обратного приложенного напряжения UR.
Характеристика снята при частоте напряжения f = 1 МГц.
Рис. 3. Вид прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямителя (диодного моста). Зависимость прямого выпрямленного тока IF от прямого падения напряжения на каждом из диодов моста UF (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.
Рис. 4. Зависимость допустимого среднего значения рассеиваемой мощности моста PF(AV) от величины среднего тока нагрузки моста IF(AV) при предельной температуре p/n переходов диодов модуля Tj = 150°C.
Рис. 5. Ограничение прямого выпрямленного тока IF через мост при нарастании температуры внешней среды Ta.
Надписи на поле рисунка:
Рис. 5. Перегрузочная способность выпрямителя. Зависимость величины максимального неповторяющегося ударного прямого тока IFSM от количества полуволн тока на частоте 60 Гц.
Надпись на поле рисунка поясняет режим испытаний:
Характеристики диодного моста MB10F
MB10F – это однофазных диодный мост в SMD-корпусе, характеристики которого можно представить следующими основными параметрами: пиковое обратное напряжение (до 1000 В) и средневыпрямленный выходной ток (от 0,5 до 1,0 А). К его особенностям можно отнести высокую перегрузочную способность (до 25 А) и большую температуру пайки при монтаже на плату (до +260 o С). Является самым мощным устройством среди выпрямителей импортной серии MBxxx.
Рассматриваемая диодная сборка применяется преимущественно в выпрямительных схемах, различных преобразователях и импульсных блоках питания. Стала популярной в схемотехнике благодаря своей компактности, простоте и надежности. Довольно часто встречается в бытовых приборах со светодиодным освещением: лампочки, гирлянды, уличные фонари и др.
Распиновка
Внешний вид, внутренняя схема и цоколевка (распиновка) MB10F представлены на рисунке. Устройство имеет современный огнестойкий пластиковый корпус (MBF) пассивированный стеклом с четырьмя выводами, удобный для поверхностного монтажа на плату. Соответствует современным экологическим безсвинцовым нормам RoHS.
Технические характеристики
Параметры, взятые из даташит на диодный мост mb10f от разных производителей, иногда не совпадают между собой. При этом, значения некоторых из них могут заметно отличаться от типовых для данного устройства. В большинстве случаев эта особенность не критична, но все же её следует учитывать.
Например, в справочниках по электронным компонентам указано, что серия MBxxx способна выдерживать средний прямой выпрямленный ток (IF(AV)) до 0,8 А. Именно такое значение данного параметра встречается чаще всего и в даташит. Однако, у отдельных производителей оно может варьироваться как в меньшую (до 0,5 А), так и большую сторону (до 1,0 А). Иногда, особенно у более новых образцов, максимальное среднеквадратичное напряжение (VRMS) достигает 1000 В, хотя типовым считается 700 В.
Ниже представлены основные характеристики диодного моста MB10F (при ТА до +25 o C):
Не допускается превышение значений указанных параметров. Устройство может выйти из строя в случае не соблюдения условий эксплуатации. Также следует учитывать снижение характеристик когда растёт температура окружающей среды (TA). Так, с увеличением TA до +100 o C токи утечки (IR) возрастают в десятки раз до 100 мкА.
Аналоги
У MB10F существует функциональный аналог — MB10S. Последний полностью идентичен по своим техническим характеристикам, но имеет немного больший корпус. В качестве замены может подойти MB10M – диодная сборка с похожим параметрами, но предназначенная для дырочного монтажа на плату.
Проверка на исправность
Зная внутреннюю схему и характеристики mb10f, можно легко проверить диодный мост на исправность обычным мультиметром. Для начала необходимо включить тестер в режим позвонки диодов. Уточнить правильность подсоединения щупов к измерительному прибору, не перепутав полярности: красный к плюсу, чёрный к минусу (COM-порт).
Задачей проверки считается определение исправности каждого из четырёх кремниевых диодов, расположенных внутри пластикового корпуса, по отдельности и в соответствии со схемой сборки. Для этого необходимо поочерёдно подсоединять щупы мультиметра в прямом смещении, а затем в обратном, фиксируя результаты измерений. Последовательность может быть следующей: проверить выводы 3-2 и 2-1, а затем 3-4 и 4-1 (распиновка на рисунке выше).
При подключении щупов в прямом смещении падение напряжения, отображаемое на мультиметре, должно находится в диапазоне от 500 до 800 мВ. При включении в обратном направлении на тестере выводится единица. Диодный мост считается работоспособным, если позвонка всех четырёх устройств прошла успешно и они оказались исправны.
Производители
Скачать datasheet на диодный мост mb10f возможно по ссылкам с наименованием производителя. Основными компаниями, занимающимися его производством считаются: Diodes Incorporated, Shenzhen Luguang Electronic Technology (LGE), Kingtronics International Company, Suntan Capacitors, Microdiode Electronics, Shenzhen Ping Sheng Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL. В российских магазинах чаще всего встречается продукция Diodes Incorporated, LGE.
Диодный мост mb10f чем заменить
_________________
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение
Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc
>TEHb  |
Карма: 3
Рейтинг сообщений: 11
Зарегистрирован: Ср ноя 11, 2009 17:19:30
Сообщений: 1333
Рейтинг сообщения: 0
gregor  | ||||
Карма: 1 |
| |||
| ||||
| AJLMA3uk | ||||
Зарегистрирован: Сб авг 21, 2010 18:14:45 |
| |||
| ||||
| Tehnik123 |
| |
| ||
| SeregaT | ||||
Карма: 63 |
| |||
| ||||
| AJLMA3uk | ||||
Зарегистрирован: Сб авг 21, 2010 18:14:45 |
| |||
| ||||
| >TEHb |
Карма: 3
Рейтинг сообщений: 11
Зарегистрирован: Ср ноя 11, 2009 17:19:30
Сообщений: 1333
Рейтинг сообщения: 0
| |
