Dram spd write что это
Dram spd write что это
Давайте попробуем произвести настройки северного моста чипсета, который обеспечивает работу быстродействующих компонентов системы: процессора, кэш-памяти, оперативной памяти и видеосистемы. Обычно эти параметры собраны в разделе Advanced Chipset Features, а в версиях BIOS с горизонтальной строкой меню — в меню Advanced или аналогичном.
В некоторых системных платах производства Gigabyte часть настроек чипсета скрыты, и для получения доступа к ним следует нажать клавиши Ctrl+Fl после входа в BIOS Setup.
Оперативная память — один из важнейших компонентов системы, оказывающих заметное влияние на скорость и стабильность работы компьютера. Модули памяти работают по сложным алгоритмам и требуют правильно устанавливать значения рабочих частот и различных временных интервалов. Для обычного (не разогнанного) режима работы системы нет необходимости заниматься наладкой памяти вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры устанавливаются автоматически. С помощью настройки BIOS вы можете отключить автоматическую наладку и задавать все параметры вручную. При этом можно повысить производительность системы, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы.
В большинстве компьютеров используется память SDRAM, DDR или DDR2/3. Память стандарта EDO и FPM, выполненная в виде модулей SIMM, является устаревшей и не будем ею засорять себе мозг.
Настройка BIOS, оперативная память, тайминги оперативной памяти.
Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который расположен в северном мосту чипсета (Intel) или непосредственно в процессоре (Athlon 64/FX/X2 и Phenom). Чтобы обратиться к определенной ячейке памяти, контроллер вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти.
Если тайминги будут слишком большими, то чип памяти выполнит все необходимые действия и будет некоторое время простаивать, ожидая следующую команду. В этом случае память работает медленнее, но стабильнее. Если тайминги излишне маленькие, модуль памяти не сможет корректно выполнить свои задачи, в результате чего произойдет сбой в работе программы или всей операционной системы. Иногда при таких таймингах компьютер может вообще не загрузиться, тогда придется обнулять с помощью перемычки на системной плате.
У каждого модуля памяти свои значения таймингов, при которых производитель гарантирует быструю и стабильную работу памяти. Эти значения записаны в специальном чипе под названием SPD (Serial Presence Detect). Используя информацию SPD, BIOS может автоматически конфигурировать любой модуль памяти из числа тех, которые поддерживаются чипсетом системной платы.
Большинство версий BIOS позволяет отказаться от использования SPD и настроить память вручную. Можно попытаться снизить значения таймингов, чтобы ускорить работу памяти, но после этого следует тщательно протестировать систему.
Для современных модулей памяти SDRAM и DDR выделяют четыре основных тайминга и один параметр работы контроллера памяти. Для понимания их сути кратко рассмотрим работу контроллера памяти.
1. Цикл доступа к определенной ячейке памяти начинается с того, что контроллер устанавливает низкий уровень сигнала выборки строки RAS# (Row Address Strobe) и выставляет адрес строки на линиях адреса. При поступлении этой команды модуль памяти начинает процесс открытия строки, адрес которой был передан по адресным линиям.
2. Через определенный промежуток времени, необходимый, чтобы открыть выбранную строку, контроллер памяти устанавливает низкий уровень сигнала выборки столбца CAS# (Column Address Strobe). На линиях адреса уже будет установлен адрес столбца, который нужно открыть.
3. Через некоторое время после подачи сигнала CAS# модуль памяти начнет передачу запрошенных данных.
4. Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS# и CAS#, установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными.
5. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки (RAS#) может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки.
В соответствии с приведенным выше упрощенным описанием выделяют следующие тайминги (в порядке их значимости):
□ tCL, или CAS# Latency — задержка между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных, то есть между этапами 2 и 3;
□ tRCD, или RAS# to CAS# delay — задержка между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS# (этапы 1 и 2);
□ tRP, или RAS# Precharge — задержка для подзарядки строки после ее закрытия (этапы 4 и 5);
□ tRAS, или Active to Precharge Delay — минимальное время между командами открытия строки и ее закрытия (этапы 1-4);
□ CR, или Command Rate — дополнительный параметр, указывающий количество тактов для передачи команды от контроллера к памяти. Оказывает существенное влияние на производительность современных модулей памяти и может принимать значение 1 или 2 такта.
При указании характеристик модуля памяти тайминга обычно указывают по следующей схеме: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR, например модуль памяти Kingston, 1GB DDR2 РС2-5300 имеет тайминга в штатном режиме 4-4-4-12-1Т. Параметр Command Rate (CR) может не указываться, и тогда тайминги будут записываться последовательностью из четырех чисел (4-4-4-12). Если посчитать количество импульсов тактового генератора между основными этапами работы контроллера, то можно получить схему таймингов 2-3-3-7, что характерно для памяти DDR.
Для справки:
DRAM Timing Selectable, Timing Mode
Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим.
Возможные значения:
1. By SPD (Auto) — параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;
2. Manual — параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов памяти. Ручная настройка оперативной памяти позволяет ускорить ее работу, но при этом в системе могут быть сбои.
Configure DRAM Timing by SPD, Memory Timing by SPD
Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing
Selectable, а возможные значения будут такими:
1. Enabled (On) — параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;
2. Disabled (Off) — оперативная память настраивается вручную.
Memory Frequency, DRAM Frequency, Memclock Index Value, Max Memclock
Параметр отображает или устанавливает частоту работы оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.
Возможные значения:
1. Auto — частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);
2. 100,120,133 (РС100, РС133) — возможные значения для памяти SDRAM;
3. 200, 266, 333, 400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) — возможные значения для памяти DDR;
4. DDR2-400,DDR2-566, DDR2-667, DDR2-800, DDR2-889, DDR2-1067 — значения для памяти DDR2.
В зависимости от используемого чипсета список доступных значений может отличаться от приведенного, в нем будут указаны только те частоты, которые поддерживаются платой.
В некоторых платах рассматриваемый параметр доступен только для чтения, а для изменения частоты памяти следует использовать рассмотренный далее параметр FSB/Memory Ratio. В системных платах производства ASRock для ручной настройки памяти следует отключить параметр Flexibility Option.
FSB/Memory Ratio, System Memory Multiplier
Параметр определяет соотношение (множитель) между частотой FSB и частотой памяти. Данный параметр может использоваться вместо рассмотренного выше параметра Memory Frequency для установки частоты работы оперативной памяти.
Возможные значения:
1. Auto — соотношение между частотой FSB и памяти настраивается автоматически в соответствии с данными SPD;
2. 1:1; 1:1, 2; 1:1, 5; 1:1, 66; 1:2, 3:2; 5:4 — выбор одного из этих значений позволит вручную установить соотношение между частотами FSB и памяти. Для расчета частоты памяти следует учитывать, что частота FSB может указываться с учетом четырехкратного умножения (эффективное значение), а частота DDR — с учетом двукратного. Например, при эффективной частоте FSB 1066 МГц и множителе 1:1,5 результирующая частота памяти будет равна (1066:4) х 1,5 х 2 — 800 МГц. В зависимости от модели платы набор соотношений может несколько отличаться от приведенного выше;
3. 2, 00; 2, 50; 2, 66; 3, 00; 3, 33; 4,00 — при наличии подобного ряда частота памяти вычисляется умножением реальной частоты FSB на выбранный коэффициент;
4. Sync Mode — память работает синхронно с частотой FSB.
CAS# Latency, tCL, DRAM CAS# Latency
Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти мог сформировать для передачи содержимое запрошенной ячейки памяти. Ручная установка низких значений CAS# Latency увеличивает скорость работы модуля, то есть разгоняет его.
Возможные значения:
1. 1, 5; 2; 2, 5; 3 — для памяти DDR. Меньшие значения соответствует более быстрой работе памяти, однако не все модули могут работать при таких значениях;
2. 3; 4; 5; 6 — для памяти DDR2. Как и в случае с DDR, ускорение памяти достигается уменьшением значения tCL.
В некоторых версиях BIOS к числовому значению таймингов добавляется единица измерения, например 5Т (5 DRAM Clocks).
tRCD, RAS# to CAS# delay, DRAM RAS-to-CAS Delay
Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS#. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти успел определить и активизировать требуемую строку. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они определяют время задержки между сигналами CAS# и RAS#. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Настройка BIOS, tRP, DRAM RAS# Precharge, RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge, Row Precharge Time
Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия. Другими словами, он определяет паузу между закрытием одной строки и открытием другой с помощью нового сигнала RAS#. При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к нестабильной работе памяти.
Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они означают минимальное время в тактах для подзарядки строки и формирования нового сигнала RAS.
tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time
Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта. Слишком высокое значение этого параметра немного снижает производительность, поскольку на закрытие ячейки тратится лишнее время. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально. По имеющимся из разных источников сведениям, параметр tRAS на общую производительность памяти влияет не очень существенно, а оптимальный вариант зависит от типа чипсета.
Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки.
DRAM Command Rate, IT/ 2T Memory Timing
Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти. Возможные значения:
1. 2т (2т Command) — величина задержки равна двум тактам; обычно устанавливается по умолчанию и соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;
2. IT (IT Command) — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти. Возможность нормальной работы памяти при таком значении сильно зависит от чипсета и модуля памяти и требует порой экспериментальной проверки. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти.
2Т Command
Параметр полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Command Rate, но имеет следующие значения:
1. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD;
2. Enabled — установлена задержка в 2 такта;
3. Disabled — установлена задержка в 1 такт.
Дополнительные тайминги памяти
Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка, а иногда и двух десятков. Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью.
Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.
□ tRRD (RAS to RAS Delay) — задержка между активизацией строк разных банков.
□ tRC (Row Cycle Time), Row Active Time, Raw Pulse Width — длительность цикла строки памяти. Полный цикл состоит из времени от начала активизации строки до ее закрытия (tRAS) и задержки для формирования нового сигнала RAS# (tRP), то есть tRC = tRAS + tRP.
□ tWR (Write Recovery Time) — задержка между завершением операции записи и началом предзаряда.
□ tWTR (Write to Read Delay) — задержка между завершением операции записи и началом операции чтения.
□ tRTP (Precharge Time) — интервал между командами чтения и предварительного заряда.
□ tREF (Refresh period) — частота обновления памяти. Может устанавливаться в тактах или микросекундах.
□ tRFC (ROW Refresh Cycle Time) — минимальное время между командой обновления строки (Refresh) и командой активизации или другой командой обновления. В некоторых версиях BIOS имеется возможность установки данного тайминга для каждого модуля памяти, а параметры будут называться соответственно Trfс 0/½/3 for DIMM 0/½/3.
Важно:
Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.
Bank Interleave
Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти. В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Модули памяти объемом 64 Мбайт и более обычно состоят из четырех банков, и включение этого параметра ускоряет работу памяти.
Возможные значения:
1. Auto — режим чередования настраивается автоматически;
2. 2 Way, 4 Way — одно из этих значений устанавливает двух-или четырехбан- ковый режим чередования; рекомендуется использовать 4 Way как обеспечивающий наибольшую производительность, 2 Way может понадобиться, если в системе только один двухбанковый модуль памяти;
3. Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти.
DRAM Burst Length, Burst Length
Параметр устанавливает размер пакета данных при чтении из оперативной памяти.
Возможные значения — 4, 8. Они определяют длину пакета данных. При 8 теоретически должна обеспечиваться большая производительность памяти, но практика показывает, что разница копеечная.
Текст книги «Тонкая настройка компьютера с помощью BIOS. Начали!»
Автор книги: Юрий Зозуля
Жанр: Компьютерное Железо, Компьютеры
Текущая страница: 5 (всего у книги 11 страниц) [доступный отрывок для чтения: 4 страниц]
Параметры автоматического разгона
В некоторых системных платах есть специальные параметры для комплексного разгона системы, позволяющие увеличить ее производительность, особо не вдаваясь в тонкости настройки отдельных компонентов. Этот способ доступен для начинающих пользователей, но его эффективность может быть невысокой, а в некоторых случаях система даже может работать нестабильно.
Dynamic Overclocking (D.O.T.)
С помощью этого параметра можно задействовать технологию динамического разгона, которая применяется в ряде системных плат от MSI. Система отслеживает нагрузку на процессор, и когда она достигнет максимума, его производительность будет увеличена, а после спада нагрузки процессор автоматически возвратится в штатный режим.
□ Disabled – технология динамического разгона не используется;
□ Private, Sergeant, Captain, Colonel, General, Commander – выбор одного из указанных значений позволит задать уровень ускорения процессора от 1 % (для Private) до 15 % (для Commander).
Некоторые системные платы MSI позволяют выполнить расширенную настройку динамического разгона. Параметр Dynamic Overclocking Mode позволяет выбирать компоненты для разгона, а с помощью параметров CPU D.0.T3 step 1/2/3 setting и PCIE D.0.T3 step 1/2/3 setting можно подстраивать уровни разгона для процессора и шины PCI Express.
CPU Intelligent Accelerator 2 (C.I.A. 2)
C.I.A. 2 – технология динамического разгона, аналогичная D.O.T., но применяющаяся в системных платах Gigabyte.
□ Disabled – технология динамического разгона не используется;
□ Cruise, Sports, Racing, Turbo, Full Thrust – выбор одного из указанных значений задает уровень ускорения процессора от 5 % (Cruise) до 19% (Full Thrust).
Memory Performance Enhance (Performance Enhance)
Параметр позволяет повысить производительность оперативной памяти в системных платах Gigabyte и некоторых других производителей.
□ Standard (Normal) – разгон оперативной памяти не используется;
□ Fast, Turbo, Extreme – выбор одного из уровней разгона. В зависимости от модели системной платы эффект от этих значений может различаться.
AI Overclocking (Al Tuning)
С помощью этого параметра, который есть в некоторых системных платах ASUS, можно выбрать один из доступных вариантов разгона. Возможные значения:
□ Manual – все параметры разгона можно изменять вручную;
□ Auto – устанавливаются оптимальные параметры;
□ Standard – загружаются стандартные параметры;
□ AI Overclock (Overclock Profile) – система будет разогнана на величину, заданную с помощью параметра Overclock Options (возможные варианты – от 3 до 10 %);
□ AI N.O.S. (Non-Delay Overclocking System) – используется технология динамического разгона, аналогичная D.O.T. Более детально настраивается с помощью параметра N.O.S. Option; в зависимости от модели платы вы можете установить уровень разгона в процентах или чувствительность системы динамического разгона.
AI Overclock Tuner
Параметр служит для выбора режима разгона в ряде новых плат от ASUS.
□ Auto – автоматическая настройка параметров (режим по умолчанию);
□ Х.М.Р. – настройка работы памяти соответственно стандарту Intel Extreme Memory Profile (X.M.P.). Этот стандарт также должен поддерживаться модулями памяти, а для выбора текущего профиля памяти используется параметр extreme Memory Profile;
□ D.O.C.P. – при выборе этого значения вы можете задать желаемый режим работы оперативной памяти с помощью дополнительного параметра DRAM О.С. Profile, а базовая частота (BCLK) и коэффициенты умножения для памяти и процессора будут подобраны автоматически;
□ Manual – все параметры разгона настраиваются вручную.
Robust Graphics Booster (LinkBoost)
Параметр позволяет ускорить работу видеосистемы, увеличивая тактовые частоты видеоадаптера.
□ Auto – видеосистема работает в обычном режиме на тактовых частотах по умолчанию;
□ Fast, Turbo – видеосистема работает на повышенных частотах, благодаря чему производительность немного повышается (особенно в режиме Turbo).
Параметр позволяет включить технологию динамического разгона процессоров семейства Intel Core i7/5. Технология Intel Turbo Boost дает возможность автоматически увеличивать частоту процессора при загруженности одного или нескольких ядер и отсутствии перегрева процессора. Возможные значения:
□ Enabled – технология Turbo Boost включена. При загруженности всех ядер множитель процессора может быть автоматически увеличен на 1-2 ступени, что соответствует поднятию тактовой частоты на 133 или 266 МГц. Если загружено только одно ядро, частота процессора может быть увеличена на две ступени и более, в зависимости от модели процессора;
□ Disabled – режим Turbo Boost отключен.
Параметры разгона процессора
Как известно, каждый процессор работает на некоторой частоте, которая указана в его технической характеристике и определяется как произведение базовой частоты на коэффициент умножения.
CPU Clock Ratio (CPU Ratio Selection, Multiplier Factor, Ratio CMOS Setting)
Параметр устанавливает коэффициент умножения для центрального процессора. Большинство современных процессоров позволяют только уменьшать его или вообще не реагируют на изменение коэффициента. Однако в ассортименте производителей имеются модели с разблокированным множителем (например, серия Black Edition у AMD), которые можно легко разогнать, просто повысив множитель. Возможные значения:
□ Auto – коэффициент умножения устанавливается автоматически в зависимости от процессора;
□ 7.0Х, 7.5Х, 8.0X, 8.5Х, 9.0X, 9.5Х и т. д. – выбрав одно из указанных значений, можно заставить процессор работать с особым коэффициентом умножения, в результате чего его тактовая частота будет отличаться от паспортной.
CPU Host Clock Control (CPU Operating Speed)
Параметр включает ручное управление частотой FSB (BCLK) и коэффициентом умножения, что может понадобиться при разгоне. Возможные значения:
□ Disabled или Auto Detect – тактовая частота процессора устанавливается автоматически; это значение следует выбирать для работы системы в обычном, неразогнанном режиме;
□ Enabled (On) или User Define – тактовая частота процессора может быть изменена вручную с помощью параметра CPU FSB Clock (это значение используется при разгоне).
CPU FSB Clock (CPU Host Frequency (MHz), FSB Frequency, External Clock)
Параметр устанавливает частоту системной шины FSB, или внешнюю частоту центрального процессора, с которой синхронизируются все остальные частоты. Изменение частоты FSB – основной способ разгона процессоров, а диапазон и шаг регулировки зависит от чипсета и модели системной платы.
Если вы не собираетесь разгонять компьютер, установите для этого параметра значение Auto либо отключите ручную настройку для режима работы процессора с помощью параметра CPU Operating Speed или аналогичного.
BCLK Frequency (Base Clock)
Параметр используется в системах на базе процессоров Core i3/5/7 и позволяет изменять базовую частоту, от которой зависят рабочие частоты процессора, шины QPI, оперативной памяти и ее контроллера. Штатное значение базовой частоты – 133 МГц, а шаг и диапазон регулировки зависят от модели платы. Для доступа к этому параметру может понадобиться включить ручную настройку частоты с помощью параметра Base Clock Control или аналогичного.
QPI Frequency (QPI Link Speed)
Параметр позволяет установить частоту шины QPI, которая используется для связи процессора Core i3/5/7 с чипсетом.
□ Auto – частота QPI устанавливается автоматически в соответствии с паспортными параметрами процессора;
□ хЗб, х44, х48 – множитель, определяющий частоту QPI относительно базовой (133 МГц);
□ 4800, 5866, 6400 – в некоторых платах вместо множителя может использоваться числовое значение частоты в мегагерцах.
CPU/NB Frequency (Adjust CPU-NB Ratio)
Параметр позволяет устанавливать частоту встроенного в процессор AMD контроллера памяти. В зависимости от модели платы в качестве значений может использоваться частота в мегагерцах или множитель относительно базовой частоты.
CPU Voltage Control (CPU VCore Voltage)
С помощью этого параметра можно вручную изменить напряжение питания центрального процессора, что иногда нужно при разгоне. Возможные значения:
□ Auto (Normal) – напряжение питания процессора устанавливается автоматически в соответствии с его паспортными параметрами;
□ числовое значение напряжения в диапазоне от 0,85 до 1,75 В (в зависимости от модели системной платы диапазон и шаг регулировки могут быть другими).
В некоторых платах для этих же целей используется параметр CPU Over Voltage, который позволяет увеличивать напряжение относительно паспортного на заданную величину.
Чрезмерно высокое питающее напряжение может вывести процессор из строя. Для большинства современных процессоров допустимым является увеличение напряжения на 0,2-0,3 В.
Современные процессоры, кроме вычислительных ядер, могут содержать кэш-память, контроллер оперативной памяти и другие компоненты. Для них в некоторых платах имеется возможность настраивать напряжение питания и уровни сигналов, но их влияние на стабильность разогнанной системы обычно невелико. Вот несколько подобных параметров:
□ CPU VTT Voltage – напряжение питания контроллера шины QPI и кэшпамяти L3 (Intel Core i3/5/7);
□ CPU PLL Voltage – напряжение питания схемы фазовой автоподстройки частоты. Этот параметр актуален для четырехъядерных процессоров Intel;
□ CPU/NB Voltage – напряжение питания контроллера памяти и кэшпамяти L3 в процессорах AMD;
□ CPU Differential Amplitude (CPU Amplitude Control, CPU Clock Drive) – регулировка амплитуды сигналов процессора;
□ Load-Line Calibration – включение этого параметра позволит улучшить стабильность напряжения питания при большой нагрузке на процессор.
Advanced Clock Calibration (NVidia Core Calibration)
Этот параметр предназначен для улучшения разгонного потенциала процессоров Phenom и Athlon. Технология Advanced Clock Calibration (АСС) поддерживается в новых чипсетах для процессоров AMD и позволяет выполнять автоматическую подстройку рабочей частоты и напряжения питания процессора.
□ Disable – технология АСС отключена, это значение рекомендуется для штатного (неразогнанного) режима работы;
□ Auto – технология АСС работает в автоматическом режиме, это значение рекомендуется при разгоне;
□ All Cores – при выборе данного значения вы сможете установить с помощью параметра Value уровень АСС в процентах для всех ядер одновременно;
□ Per Core – в отличие от предыдущего варианта, вы сможете настроить АСС для каждого ядра отдельно. Ручная настройка АСС может понадобиться, если при значении Auto система работает нестабильно.
Данный параметр вызвал огромный интерес у компьютерных энтузиастов, поскольку позволяет разблокировать неактивные ядра и превратить двух– или трехъядерный процессор Athlon/Phenom в четырехъядерный. Подробнее об этом читайте далее.
Параметры разгона оперативной памяти
Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы для того, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти. Среди всех таймингов наибольшее значение имеют следующие: CAS# Latency (tCL), RAS# to CAS# delay (tRCD), RAS# Precharge (tRP) и Active to Precharge Delay (tRAS).
При настройке BIOS по умолчанию все необходимые параметры памяти задаются автоматически. В каждом модуле памяти есть специальный чип под названием SPD (Serial Presence Detect), в котором записаны оптимальные значения для конкретного модуля. Для разгона следует отключить автоматическую настройку памяти и задавать все параметры вручную, причем при разгоне процессора вам придется не повышать частоту памяти, а, наоборот, понижать ее.
Количество доступных для настройки параметров оперативной памяти может сильно различаться для разных моделей системных плат, даже выполненных на одном и том же чипсете. В большинстве плат есть возможность изменять частоту памяти и основных таймингов, что вполне достаточно для разгона (рис. 6.2). Любители тщательной оптимизации и разгона могут выбрать более дорогую плату с множеством дополнительных настроек, а в самых дешевых платах средства ручной настройки памяти будут ограниченными или отсутствовать вообще. Параметры оперативной памяти могут находиться в разделе с настройками разгона, в разделе Advanced Chipset Features или в одном из подразделов раздела Advanced.
Рис. 6.2. Основные параметры оперативной памяти
DRAM Timing Selectable (Timing Mode)
Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим установки параметров.
□ By SPD (Auto) – параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;
□ Manual – параметры модулей памяти устанавливаются вручную; при выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов.
Configure DRAM Timing by SPD (Memory Timing by SPD)
Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing Selectable, а возможные значения будут такими:
□ Enabled (On) – параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;
□ Disabled (Off) – оперативная память настраивается вручную.
Memory Frequency (DRAM Frequency, Memclock Index Value, Max Memclock)
Параметр отображает или устанавливает частоту работы оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая частоту вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.
□ Auto – частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);
□ 100, 120, 133 (РС100, РС133) – возможные значения для памяти SDRAM;
□ 200, 266, 333, 400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) – возможные значения для памяти DDR;
□ DDR2-400, DDR2-566, DDR2-667, DDR2-800, DDR2-889, DDR2-1067 – значения для памяти DDR2;
□ DDR3-800, DDR3-1066, DDR2-1333, DDR2-1600 – значения для памяти DDR3.
В некоторых платах этот параметр доступен только для чтения, а для изменения частоты памяти следует использовать параметр System Memory Multiplier.
System Memory Multiplier (FSB/Memory Ratio)
Определяет соотношение (множитель) между частотой FSB (BCLK) и частотой памяти.
□ Auto – соотношение между частотой FSB (BCLK) и частотой памяти настраивается автоматически в соответствии с данными SPD;
□ соотношение (например, 1:1, 1:2, 3:2, 5:4) или множитель (2, 2,5, 2,66, 3,00, 3,33, 4,00 и т. д.), определяющий связь между частотой FSB (BCLK) и частотой памяти. Конкретный набор значений зависит от типа чипсета и модели платы.
Ручная установка множителя применятся при разгоне, в этом случае множитель (соотношение) понижают, чтобы он не вышел за допустимые пределы при поднятии базовой частоты. Контролировать фактическое значение частоты памяти вы можете с помощью информационного параметра Memory Frequency или диагностических утилит, например CPU-Z (www.cpuid.com) или EVEREST.
CAS# Latency (tCL, DRAM CAS# Latency)
Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца (CAS#) и началом передачи данных.
Возможные значения этого параметра зависят от типа используемых модулей и модели платы. Для памяти DDR диапазон регулировки может составлять от 1,5 до 3 тактов, для DDR2 – от 3 до 7 тактов, для DDR3 – от 4 до 15 тактов. При уменьшении значения CAS# Latency работа памяти будет ускоряться, однако далеко не все модули могут стабильно работать при низких задержках.
RAS# to CAS# delay (tRCD, DRAM RAS-to-CAS Delay)
Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки (RAS#) и сигналом выборки столбца (CAS#).
Диапазон регулировки зависит от модели платы и может составлять от 1 до 15 тактов. Чем меньше значение, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае с CAS# Latency, слишком низкие значения приведут к нестабильной работе памяти.
RAS# Precharge (tRP, DRAM RAS# Precharge, SDRAM RAS# Precharge, Row Precharge Time)
Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия.
Возможные значения – от 1 до 15. При меньших значениях память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к ее нестабильности.
Active to Precharge Delay (tRAS, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time)
Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть время, в течение которого строка может быть открыта.
Диапазон регулировки зависит от модели платы и может составлять от 1 до 63 тактов. Нет однозначной зависимости между значением этого параметра и производительностью памяти, поэтому для максимального эффекта следует подбирать tRAS экспериментально.
DRAM Command Rate (1Т/2Т Memory Timing)
Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти.
□ 2Т (2Т Command) – величина задержки равна двум тактам, что соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;
□ IT (IT Command) – задержка в один такт увеличивает скорость оперативной памяти, однако не всякая система может при этом нормально работать.
В некоторых версиях BIOS встречается параметр 2Т Command, при включении которого устанавливается задержка в два такта, а при отключении – в один такт.
Extreme Memory Profile (Х.М.Р.)
Параметр позволяет включить поддержку расширенных профилей памяти. Данная технология разработана компанией Intel и предполагает запись в чип SPD дополнительных наборов параметров для работы на повышенной частоте или с минимальными задержками. Для использования этой технологии она должна поддерживаться вашим модулем памяти.
□ Disabled – память работает в штатном режиме;
□ Profile!, Profile2 – выбор одного из профилей памяти с повышенной производительностью. Чтобы узнать параметры этих профилей, следует обратиться к подробной спецификации вашего модуля.
Дополнительные параметры памяти
Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются дополнительные параметры памяти. Они оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, с их помощью можно немного повысить скорость работы памяти. Чаще всего встречаются следующие параметры:
□ tRRD (RAS to RAS delay) – задержка между активизацией строк разных банков;
□ tRC (Row Cycle Time) – длительность цикла строки памяти;
□ tWR (Write Recovery Time) – задержка между завершением операции записи и началом предзаряда;
□ tWTR (Write to Read Delay) – задержка между завершением операции записи и началом операции чтения;
□ tRTP (Precharge Time) – интервал между командами чтения и предварительного заряда;
□ tRFC (ROW Refresh Cycle Time) – минимальное время между командой обновления строки и командой активизации или другой командой обновления;
□ Bank Interleave – определение режима чередования при обращении к банкам памяти;
□ DRAM Burst Length – определение размера пакета данных при чтении из оперативной памяти;
□ DDR Clock Skew (Clock Skew for Channel А/В) – регулировка смещения тактовых сигналов для модулей памяти.
Изменение таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.
Параметр увеличивает напряжение питания чипов оперативной памяти для их более устойчивой работы на повышенных частотах. При выборе значения Auto (Default) для чипов памяти будет установлено стандартное напряжение питания, которое составляет 2,5 В для памяти DDR, 1,8 В – для DDR2 и 1,5 В – для DDR3.
Для более эффективного разгона оперативной памяти вы можете несколько увеличить напряжение питания, выбрав одно из предлагаемых значений. Диапазон и шаг регулировки зависят от модели платы, а в качестве значений могут применяться как абсолютные, так и относительные значения напряжений.
В некоторых платах могут присутствовать дополнительные параметры для настройки опорных напряжений отдельно для каждого канала памяти, например Ch-A/B Address/Data VRef. Практически всегда для них следует устанавливать значение Auto, а их подстройка может понадобиться только при экстремальном разгоне.
Во избежание необратимых повреждений модулей памяти не выставляйте чрезмерно высоких значений напряжений, а также позаботьтесь о более эффективном охлаждении модулей.
Данное произведение размещено по согласованию с ООО «ЛитРес» (20% исходного текста). Если размещение книги нарушает чьи-либо права, то сообщите об этом.