Enable clock to all dimms что это в биосе
Enable clock to all dimms что это в биосе
Asus M2N MX SE Plus и память
Имеееться материнская плата ASUS M2N-MX SE Plus.
И имеються две планки памяти 3Wilk Elektronik SA. Модуль памяти DDR2 SDRAM 1024Mb PC2-5300 (667MHz) GOODRAM
Отдельно планки в любой из разъемов вставляю все работает на ура, как только вставлю обе планки мать стартует (все крутиться и шумит) но ни видео не работает, ни БИОС не пикает, а индикатор питания мигает (в инструкции написано что так он ведет в спящем режиме).
Память почти год проработала на другой мамке в двухканальном режиме нормально. Мать новая.
Подозреваю что мать не хочет запускаться в двухканально режиме с этой памятью, но хотелось бы услышать и мнение специалистов.
Посоветуйте куда копать. Двухканальность меня особо и не интересует.
Слотов под память всего два.
В БИОСЕ в настройках памяти я вообще ничего не понял.
Bank Interleaving (Disabled, Auto)
Channel Interleaving (Disabled, Auto)
Enable Clock to All DIMMs (Disabled, Enabled)
MemCLK Tristate C3/ATLVID (Disabled, Enabled)
Memory Hole Remapping (Disabled, Enabled)
Unganged Mode Support (Disabled, Enabled)
Power Down Control (Auto, Disabled)
Как правильно конфигурировать оперативную память
Содержание
Содержание
Практически каждый начинающий пользователь, начавший апгрейд компьютера, сталкивается с вопросом конфигурирования оперативной памяти. Что лучше, одна планка на 16 Гб или две по 8 Гб? Как включить двухканальный режим? В какие слоты ставить планки памяти — ближние или дальние от процессора? Как включить XMP профиль? Какой прирост производительности дает двухканальный режим, включение XMP профиля и разгон памяти?
В идеале конфигурирование памяти желательно начать еще до ее покупки, прикинув, какой объем памяти (ОЗУ) достаточен для ваших задач. Однако зачастую приходится добавлять память к уже имеющейся, что несколько усложняет дело.
Современные приложения и игры стали требовательны к подсистеме памяти, и важно, чтобы она работала в двухканальном режиме для максимальной отдачи. Почему так происходит?
В первую очередь из-за роста производительности процессоров. ОЗУ должна успевать загрузить работой все ядра процессоров, которых становится все больше с каждым годом.
В играх требования к скорости памяти растут в первую очередь от того, что проекты становятся все реалистичнее, увеличиваются в объемах и детализации 3D-моделей. Новые игры вплотную подбираются к отметке в 100 Гб, и этот объем в первую очередь состоит из текстур высокого разрешения, которые надо переместить с накопителя и обработать.
Недорогие ПК и ноутбуки со встроенной в процессор графикой получают приличный прирост от быстрой памяти и включения двухканального режима. Ведь обычная ОЗУ там используется и видеоядром. Поэтому давайте для начала разберем все о двухканальном режиме ОЗУ.
Двухканальный режим работы памяти
На большинстве материнских плат устанавливаются два или четыре слота под ОЗУ, которые могут работать в двухканальном режиме. Слоты материнской платы обычно помечаются разными цветами.
Чтобы реализовать самый оптимальный режим работы памяти в двухканале, нужно установить два одинаковых модуля ОЗУ в слоты одинакового цвета. Слоты для двух модулей ОЗУ в двухканале обычно называются DIMMA1(2) и DIMMB1(2). Желательно уточнить это в инструкции к вашей материнской плате.
Не всегда у пользователей бывают модули, совпадающие по частотам и таймингам. Не беда, двухканал просто заработает на скорости самого медленного модуля.
Двухканальный режим работы ОЗУ довольно гибок и позволяет установить и разные по объему модули. Например — 4 Гб и 2 Гб в канале A и 4 Гб и 2 Гб в канале B.
Как вариант, можно установить 8 Гб ОЗУ как 4 Гб в канале A и 2+2 Гб в канале B.
И даже конфигурация 4 Гб в канале A и 2 Гб в канале B будет работать в двухканальном режиме, но только для первых 2 Гб ОЗУ.
Но бывают такие ситуации, когда пользователь специально выбирает одноканальный режим работы ОЗУ с одним модулем. Например, если ставит только 16 Гб памяти и только через пару-тройку месяцев накопит на второй модуль на 16 Гб.
Ниже я протестирую, можно ли увеличить производительность одного модуля, разогнав его. А заодно протестирую все возможные режимы работы ОЗУ: с настройками по умолчанию, с включенным XMP профилем и с разгоном. Все тесты проведу как для одноканального режима работы, так и для двухканального.
Серверных материнских плат с четырехканальным режимом работы ОЗУ мы касаться не будем из-за их малого распространения.
Сколько модулей памяти оптимально для производительности?
Теперь нам надо решить, сколько модулей памяти лучше ставить в компьютер.
Если у вас материнская плата с двумя разъемами под ОЗУ, то выбор очевиден — вам нужно ставить две планки с подходящим вам объемом.
А вот если слотов под память у вас четыре, то, поставив четыре планки в четыре слота, можно получить небольшой прирост производительности. Прочитать об этом можно тут.
Но минусы такого решения перевешивают — у вас не остается слотов под апгрейд, модули памяти меньшего объема быстрее устаревают морально и меньше ценятся на вторичном рынке.
Какого объема ОЗУ достаточно?
При выборе объема ОЗУ ориентируйтесь на 8 Гб для офисного ПК и 16 Гб для игрового.
Выбирая 32 Гб ОЗУ, вы получите еще и прирост производительности, ведь большинство модулей DDR4 на 16 Гб — двухранговые. Это значит, что контроллер памяти в процессоре может чередовать запросы к такой памяти, повышая производительность в рабочих приложениях и играх.
Популярная двухранговая память
То есть, 2х16 Гб ОЗУ будут быстрее 2х8 Гб с той же частотой. Но есть и небольшой минус — у двухранговых модулей более низкий разгонный потенциал.
Посмотреть тип памяти можно программой CPU-Z, во вкладке SPD.
В какие слоты ставить модули памяти — ближние или дальние от процессора?
Раньше ОЗУ чаще ставили в самые ближние к процессору слоты (левые), но теперь все не так однозначно. Надо смотреть инструкцию к материнской плате и ставить по указаниям производителя.
Например, ASUS почти всегда рекомендует ставить память во второй слот.
Включение XMP профилей
Память с высокой частотой недостаточно просто установить в материнскую плату, чтобы она заработала на заявленной скорости. Как правило, скорость ограничится стандартной частотой для вашего процессора и материнской платы. В моем случае это 2400 МГц.
Чтобы активировать для ОЗУ скорость работы, которая записана в XMP профиле, надо зайти в BIOS и в разделе, посвященном настройке памяти, включить нужный XMP профиль. Вот так это выглядит на материнской плате MSI B450-A PRO MAX.
Тестирование разных режимов работы памяти
А теперь давайте протестируем память в разных режимах работы. Главной целью тестов будет разница работы в одно- и двухканальных режимах и разгоне.
Начнем с тестирования пропускной способности чтения ОЗУ в AIDA64, в Мб/сек.
На графиках одноканальный режим работы отмечен как (S), а двухканальный — как (D), вместе с частотой работы памяти.
ОЗУ в двухканале прилично выигрывает.
Тестирование в архиваторе WinRAR 5.40 преподносит первый сюрприз. Одна планка памяти в разгоне до 3400 МГц работает быстрее, чем две на частоте 2933 МГц.
Архиватор 7-Zip 19.0, итоговая скорость распаковки в MIPS. Опять одна планка в разгоне обошла две на 2933 МГц.
Скорость работы архиваторов имеет важное практическое значение — чем она быстрее, тем быстрее будут устанавливаться программы и игры.
Из игр я выбрал Assassin’s Creed Odyssey и Shadow of the Tomb Raider. Для минимизации воздействия видеокарты на результаты я отключил сглаживание и выставил разрешение в 720p.
В Assassin’s Creed Odyssey даже при 50 % разрешения кое-где производительность упиралась в GeForce GTX 1060, ее загрузка доходила до 99 %.
Более быстрая видеокарта позволила бы еще нагляднее увидеть прирост производительности от режимов работы ОЗУ.
Assassin’s Creed Odyssey, средний FPS. Одна планка ОЗУ, работающая с разгоном, сумела обогнать две планки в двухканале, на частоте 2400 МГц.
Shadow of the Tomb Raider, DX12, средний FPS. Картина повторяется, и одна планка памяти в разгоне быстрее, чем две низкочастотные.
Демонстрация плавности геймплея в Shadow of the Tomb Raider с одним модулем ОЗУ на 3400 МГц. Надо учесть, что запись съела пару кадров результата.
Выводы
В моих тестах один двухранговый модуль памяти на 16 Гб в разгоне обогнал в архиваторах модули с частотой 2933 МГц, работающие в двухканале. А в играх обогнал модули, работающие с частотой 2400 МГц.
Это значит, что вы можете купить быстрый модуль на 16 Гб и добавить еще 16 Гб, когда его станет не хватать.
Но самый идеальный вариант компоновки памяти — два одинаковых модуля в двухканальном режиме.
И совсем хорошо, если вы потратите немного времени на ее разгон. Благо, есть много хороших гайдов на эту тему.
Enable clock to all dimms что это в биосе
Давайте попробуем произвести настройки северного моста чипсета, который обеспечивает работу быстродействующих компонентов системы: процессора, кэш-памяти, оперативной памяти и видеосистемы. Обычно эти параметры собраны в разделе Advanced Chipset Features, а в версиях BIOS с горизонтальной строкой меню — в меню Advanced или аналогичном.
В некоторых системных платах производства Gigabyte часть настроек чипсета скрыты, и для получения доступа к ним следует нажать клавиши Ctrl+Fl после входа в BIOS Setup.
Оперативная память — один из важнейших компонентов системы, оказывающих заметное влияние на скорость и стабильность работы компьютера. Модули памяти работают по сложным алгоритмам и требуют правильно устанавливать значения рабочих частот и различных временных интервалов. Для обычного (не разогнанного) режима работы системы нет необходимости заниматься наладкой памяти вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры устанавливаются автоматически. С помощью настройки BIOS вы можете отключить автоматическую наладку и задавать все параметры вручную. При этом можно повысить производительность системы, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы.
В большинстве компьютеров используется память SDRAM, DDR или DDR2/3. Память стандарта EDO и FPM, выполненная в виде модулей SIMM, является устаревшей и не будем ею засорять себе мозг.
Настройка BIOS, оперативная память, тайминги оперативной памяти.
Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который расположен в северном мосту чипсета (Intel) или непосредственно в процессоре (Athlon 64/FX/X2 и Phenom). Чтобы обратиться к определенной ячейке памяти, контроллер вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти.
Если тайминги будут слишком большими, то чип памяти выполнит все необходимые действия и будет некоторое время простаивать, ожидая следующую команду. В этом случае память работает медленнее, но стабильнее. Если тайминги излишне маленькие, модуль памяти не сможет корректно выполнить свои задачи, в результате чего произойдет сбой в работе программы или всей операционной системы. Иногда при таких таймингах компьютер может вообще не загрузиться, тогда придется обнулять с помощью перемычки на системной плате.
У каждого модуля памяти свои значения таймингов, при которых производитель гарантирует быструю и стабильную работу памяти. Эти значения записаны в специальном чипе под названием SPD (Serial Presence Detect). Используя информацию SPD, BIOS может автоматически конфигурировать любой модуль памяти из числа тех, которые поддерживаются чипсетом системной платы.
Большинство версий BIOS позволяет отказаться от использования SPD и настроить память вручную. Можно попытаться снизить значения таймингов, чтобы ускорить работу памяти, но после этого следует тщательно протестировать систему.
Для современных модулей памяти SDRAM и DDR выделяют четыре основных тайминга и один параметр работы контроллера памяти. Для понимания их сути кратко рассмотрим работу контроллера памяти.
1. Цикл доступа к определенной ячейке памяти начинается с того, что контроллер устанавливает низкий уровень сигнала выборки строки RAS# (Row Address Strobe) и выставляет адрес строки на линиях адреса. При поступлении этой команды модуль памяти начинает процесс открытия строки, адрес которой был передан по адресным линиям.
2. Через определенный промежуток времени, необходимый, чтобы открыть выбранную строку, контроллер памяти устанавливает низкий уровень сигнала выборки столбца CAS# (Column Address Strobe). На линиях адреса уже будет установлен адрес столбца, который нужно открыть.
3. Через некоторое время после подачи сигнала CAS# модуль памяти начнет передачу запрошенных данных.
4. Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS# и CAS#, установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными.
5. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки (RAS#) может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки.
В соответствии с приведенным выше упрощенным описанием выделяют следующие тайминги (в порядке их значимости):
□ tCL, или CAS# Latency — задержка между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных, то есть между этапами 2 и 3;
□ tRCD, или RAS# to CAS# delay — задержка между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS# (этапы 1 и 2);
□ tRP, или RAS# Precharge — задержка для подзарядки строки после ее закрытия (этапы 4 и 5);
□ tRAS, или Active to Precharge Delay — минимальное время между командами открытия строки и ее закрытия (этапы 1-4);
□ CR, или Command Rate — дополнительный параметр, указывающий количество тактов для передачи команды от контроллера к памяти. Оказывает существенное влияние на производительность современных модулей памяти и может принимать значение 1 или 2 такта.
При указании характеристик модуля памяти тайминга обычно указывают по следующей схеме: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR, например модуль памяти Kingston, 1GB DDR2 РС2-5300 имеет тайминга в штатном режиме 4-4-4-12-1Т. Параметр Command Rate (CR) может не указываться, и тогда тайминги будут записываться последовательностью из четырех чисел (4-4-4-12). Если посчитать количество импульсов тактового генератора между основными этапами работы контроллера, то можно получить схему таймингов 2-3-3-7, что характерно для памяти DDR.
Для справки:
DRAM Timing Selectable, Timing Mode
Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим.
Возможные значения:
1. By SPD (Auto) — параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;
2. Manual — параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов памяти. Ручная настройка оперативной памяти позволяет ускорить ее работу, но при этом в системе могут быть сбои.
Configure DRAM Timing by SPD, Memory Timing by SPD
Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing
Selectable, а возможные значения будут такими:
1. Enabled (On) — параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;
2. Disabled (Off) — оперативная память настраивается вручную.
Memory Frequency, DRAM Frequency, Memclock Index Value, Max Memclock
Параметр отображает или устанавливает частоту работы оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.
Возможные значения:
1. Auto — частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);
2. 100,120,133 (РС100, РС133) — возможные значения для памяти SDRAM;
3. 200, 266, 333, 400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) — возможные значения для памяти DDR;
4. DDR2-400,DDR2-566, DDR2-667, DDR2-800, DDR2-889, DDR2-1067 — значения для памяти DDR2.
В зависимости от используемого чипсета список доступных значений может отличаться от приведенного, в нем будут указаны только те частоты, которые поддерживаются платой.
В некоторых платах рассматриваемый параметр доступен только для чтения, а для изменения частоты памяти следует использовать рассмотренный далее параметр FSB/Memory Ratio. В системных платах производства ASRock для ручной настройки памяти следует отключить параметр Flexibility Option.
FSB/Memory Ratio, System Memory Multiplier
Параметр определяет соотношение (множитель) между частотой FSB и частотой памяти. Данный параметр может использоваться вместо рассмотренного выше параметра Memory Frequency для установки частоты работы оперативной памяти.
Возможные значения:
1. Auto — соотношение между частотой FSB и памяти настраивается автоматически в соответствии с данными SPD;
2. 1:1; 1:1, 2; 1:1, 5; 1:1, 66; 1:2, 3:2; 5:4 — выбор одного из этих значений позволит вручную установить соотношение между частотами FSB и памяти. Для расчета частоты памяти следует учитывать, что частота FSB может указываться с учетом четырехкратного умножения (эффективное значение), а частота DDR — с учетом двукратного. Например, при эффективной частоте FSB 1066 МГц и множителе 1:1,5 результирующая частота памяти будет равна (1066:4) х 1,5 х 2 — 800 МГц. В зависимости от модели платы набор соотношений может несколько отличаться от приведенного выше;
3. 2, 00; 2, 50; 2, 66; 3, 00; 3, 33; 4,00 — при наличии подобного ряда частота памяти вычисляется умножением реальной частоты FSB на выбранный коэффициент;
4. Sync Mode — память работает синхронно с частотой FSB.
CAS# Latency, tCL, DRAM CAS# Latency
Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти мог сформировать для передачи содержимое запрошенной ячейки памяти. Ручная установка низких значений CAS# Latency увеличивает скорость работы модуля, то есть разгоняет его.
Возможные значения:
1. 1, 5; 2; 2, 5; 3 — для памяти DDR. Меньшие значения соответствует более быстрой работе памяти, однако не все модули могут работать при таких значениях;
2. 3; 4; 5; 6 — для памяти DDR2. Как и в случае с DDR, ускорение памяти достигается уменьшением значения tCL.
В некоторых версиях BIOS к числовому значению таймингов добавляется единица измерения, например 5Т (5 DRAM Clocks).
tRCD, RAS# to CAS# delay, DRAM RAS-to-CAS Delay
Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS#. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти успел определить и активизировать требуемую строку. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они определяют время задержки между сигналами CAS# и RAS#. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Настройка BIOS, tRP, DRAM RAS# Precharge, RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge, Row Precharge Time
Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия. Другими словами, он определяет паузу между закрытием одной строки и открытием другой с помощью нового сигнала RAS#. При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к нестабильной работе памяти.
Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они означают минимальное время в тактах для подзарядки строки и формирования нового сигнала RAS.
tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time
Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта. Слишком высокое значение этого параметра немного снижает производительность, поскольку на закрытие ячейки тратится лишнее время. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально. По имеющимся из разных источников сведениям, параметр tRAS на общую производительность памяти влияет не очень существенно, а оптимальный вариант зависит от типа чипсета.
Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки.
DRAM Command Rate, IT/ 2T Memory Timing
Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти. Возможные значения:
1. 2т (2т Command) — величина задержки равна двум тактам; обычно устанавливается по умолчанию и соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;
2. IT (IT Command) — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти. Возможность нормальной работы памяти при таком значении сильно зависит от чипсета и модуля памяти и требует порой экспериментальной проверки. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти.
2Т Command
Параметр полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Command Rate, но имеет следующие значения:
1. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD;
2. Enabled — установлена задержка в 2 такта;
3. Disabled — установлена задержка в 1 такт.
Дополнительные тайминги памяти
Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка, а иногда и двух десятков. Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью.
Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.
□ tRRD (RAS to RAS Delay) — задержка между активизацией строк разных банков.
□ tRC (Row Cycle Time), Row Active Time, Raw Pulse Width — длительность цикла строки памяти. Полный цикл состоит из времени от начала активизации строки до ее закрытия (tRAS) и задержки для формирования нового сигнала RAS# (tRP), то есть tRC = tRAS + tRP.
□ tWR (Write Recovery Time) — задержка между завершением операции записи и началом предзаряда.
□ tWTR (Write to Read Delay) — задержка между завершением операции записи и началом операции чтения.
□ tRTP (Precharge Time) — интервал между командами чтения и предварительного заряда.
□ tREF (Refresh period) — частота обновления памяти. Может устанавливаться в тактах или микросекундах.
□ tRFC (ROW Refresh Cycle Time) — минимальное время между командой обновления строки (Refresh) и командой активизации или другой командой обновления. В некоторых версиях BIOS имеется возможность установки данного тайминга для каждого модуля памяти, а параметры будут называться соответственно Trfс 0/½/3 for DIMM 0/½/3.
Важно:
Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.
Bank Interleave
Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти. В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Модули памяти объемом 64 Мбайт и более обычно состоят из четырех банков, и включение этого параметра ускоряет работу памяти.
Возможные значения:
1. Auto — режим чередования настраивается автоматически;
2. 2 Way, 4 Way — одно из этих значений устанавливает двух-или четырехбан- ковый режим чередования; рекомендуется использовать 4 Way как обеспечивающий наибольшую производительность, 2 Way может понадобиться, если в системе только один двухбанковый модуль памяти;
3. Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти.
DRAM Burst Length, Burst Length
Параметр устанавливает размер пакета данных при чтении из оперативной памяти.
Возможные значения — 4, 8. Они определяют длину пакета данных. При 8 теоретически должна обеспечиваться большая производительность памяти, но практика показывает, что разница копеечная.