Для чего нужен разгон памяти
О пользе разгона. Часть вторая – разгоняем процессор и оперативную память
Вступление
В первой части было определено, что такое разгон, зачем и кому он нужен, дан перечень программ, необходимых начинающему оверклокеру, описаны основные проблемы и нюансы. Прежде чем приступать к разгону, изучите упомянутый материал. Здесь же будет предметно и наглядно рассказано, как разогнать процессор и оперативную память.
Из этой статьи вы узнаете, как увеличить частоту CPU, его питающее напряжение, как разблокировать отключённые ядра или кэш, на сколько может увеличиться производительность процессора (на примере платформы LGA775), как протестировать систему на стабильность. Попутно будут затронуты вопросы разгона оперативной памяти.
реклама
Разгон центрального процессора и памяти через BIOS на примере платформы LGA775
Разгон как таковой, начался именно с центрального процессора. На старых допотопных «двойках» и «тройках», выпускавшихся лет двадцать назад, для увеличения частоты процессора приходилось перепаивать кварц – именно этот элемент задавал частоту процессора. В последние годы для её увеличения достаточно лишь изменить несколько настроек BIOS’а материнской платы, или же воспользоваться специальными программами.
В общем и целом частота процессора определяется умножением частоты шины на множитель. Отсюда следует простой и логичный вывод: для разгона нужно увеличить частоту шины и множитель. Однако на многих современных процессорах просто так изменить множитель нельзя. Поэтому условно разгон процессоров можно разделить на две категории: по шине и множителем. Оба этих варианта могут комбинироваться, если множитель не заблокирован.
Перезагружаем ПК. Для входа в BIOS при старте ПК нужно нажать F2 или Del – на разных материнских платах по-разному. Узнать, какую именно клавишу следует нажать, нетрудно. Нужно при старте ПК внимательно прочесть надписи на экране. Если не успеваете, нажмите в нужный момент на клавиатуре клавишу Pause – загрузка ПК «замрет» до тех пор, пока не будет нажата любая другая клавиша.
Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти
Задаваясь вопросом об увеличении производительности компьютера без установки новых комплектующих, вы наверняка встречали материалы про разгон процессора или разгон видеокарты… Но слышали ли вы про разгон оперативной памяти?
В данной статье мы разберемся, как разогнать ОЗУ и что для этого нужно.
Что дает разгон оперативки?
Зачастую для раскрытия потенциала вашего процессора требуется оперативная память не только с большим объемом, но и с высокими частотами. Если ваша память низкочастотная, то ее вполне реально разогнать и получить бонус к производительности компьютера.
Конечно, здесь учитываются такие факторы, как чипсет материнской платы, тип процессора и т.д., но, так или иначе, разгон явно лишним не будет, так как прирост производительности произойдет при любом раскладе.
Какие параметры стоит учитывать при разгоне
Тайминг
Одна из основных характеристик ОЗУ. Вдаваться в детали я не буду, но если вкратце: тайминги должны быть минимальными, но такими, чтобы система работала стабильно. Определять мы их в дальнейшем будем методом тыка, потому что конкретные значения для разных плашек ОЗУ найти трудно.
Частота
Основная характеристика ОЗУ. Здесь все устроено проще, но стратегия обратная: ищем самое высокое значение, при котором система будет работать стабильно.
Ранг памяти
Тоже важная характеристика памяти. Узнать ранг памяти довольно просто – иногда он указан в названии модели вашей плашки. Буква S – Single Rank (один ранг), D – Dual Rank (два ранга).
Бывает, что среди буквенной каши трудно найти нужную букву, поэтому можно просто загуглить название плашки с запросом «Сколько рангов».
Совет: модель плашки и слово ранг лучше выделять кавычками, чтобы Гугл искал запросы только с этими словами.
Ранг памяти напрямую влияет на то, как память будет поддаваться разгону. Одноранговые плашки считаются самыми подходящими для разгона, так как выдают больше мощности при изменении настроек, однако же двухранговые даже без разгона могут выдавать приличные значения.
Вольтаж
Как вы понимаете, если память будет работать на более высоких частотах, то и подаваемое питание нужно увеличить. Здесь все зависит от типа ОЗУ.
Для DDR2 нормальное напряжение держится на отметке 1.8 В, для DDR3 – 1.5 В, а DDR4 требует всего 1.2 В.
Соответственно, добиваясь максимальных частот, стоит учитывать, что максимальное значение напряжения для DDR2 должно составлять не больше 2.2 В, для DDR3 – 1.7 В, для DDR4 – 1.4 В. Переступать через данные отметки СТРОГО НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ, иначе вы рискуете здоровьем оперативной памяти!
Начинаем веселье!
Для начала мы переходим в BIOS – сделать это можно нажатием на клавишу F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Клавиша зависит от производителя вашей материнской платы.
Теперь у нас есть два пути. Зачастую у оперативной памяти от именитых брендов есть заранее заготовленные XMP-профили. Это своего рода «пресеты» с нужными настройками. Если у вас таковые имеются в распоряжении, вы – везунчик. Выставляйте нужную частоту, а XMP-профиль сделает все остальное за вас.
Второй путь потребует небольшой усидчивости: вам придется настраивать все вручную, то есть искать настройки в интернете или тыкать наугад.
И в том, и в другом случае нам нужно выставить напряжение плашки и напряжение контроллера памяти и L-3 кэша.
Первое делается в разделе «Dram Voltage». Берем с запасом, но не переступаем через порог!
Второй параметр называется «CPU NB/SoC Voltage». Средние рекомендуемые значения для данного параметра находятся в пределах 1.025–1.15 В, но здесь все зависит от производителя чипа.
Как только вы все настроите, можно приступать к таймингам. Рекомендуется выставить их значение на пару тактов выше. К примеру, для тайминга 9-9-9-24 можно выставить значение 11-11-11-26.
Сохраняем изменения и запускаем ПК. Не спешите радоваться успешному запуску системы – нам, как-никак, еще стресс-тесты нужно делать!
Проверить стабильность системы в стресс-тестах можно с помощью программы MemTest86.
Если все работает стабильно, снова возвращаемся в BIOS и начинаем постепенно сбавлять напряжение плашки и ее тайминги. Затем снова сохраняем настройки, запускаем систему, прогоняем через тесты. И так до первых проблем с системой.
Надо найти идеальный баланс между высокой частотой, низким напряжением и низкими таймингами.
Рекомендую сначала снижать тайминги до отказа, а затем на оптимальных значениях понижать напряжение. Точных значений дать не могу – все плашки работают по-разному, однако после нахождения оптимальных значений вы можете с гордостью считать себя оверклокером!
Спасибо за внимание! Надеюсь, что данная статья помогла вам увеличить производительность ПК.
Вступление
реклама
Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?
Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.
Подготовка к разгону оперативной памяти
реклама
Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.
Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.
реклама
На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.
Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов
реклама
Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.
Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).
Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.
После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.
Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.
Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.
О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.
Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов
Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.
Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:
Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.
Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.
Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.
Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.
Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.
Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.
При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:
Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх
Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.
Тестовый стенд
Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2×16Гб в игре Assassin’s Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:
Тестирование
Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.
Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.
Заключение
Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.
В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.
На волне популярности разгона комплектующих пользователи перестали задумываться о его практической пользе. Насколько больше очков вы получите в бенчмарке или игре, если выкрутите свою систему на максимум? Стоит ли это того?
реклама
В частности, наиболее интересен разгон ОЗУ. Покупатели помешались на частотах и таймингах, будоража производителей своими требованиями к разгонному потенциалу. А так ли это важно в игровой сборке, где комплектующие изначально подобраны таким образом, что ограничить друг друга они не смогут в любом порядке?
Допустим, Core i7 9700k в сборке с RTX 2070 Super вряд ли станет ограничивающим фактором в играх, даже если видеокарту разогнать по самые самые. Мощность процессора настолько «с запасом», что даже 2080Ti не будет прохлаждаться в любой игре. Тестирования многих ресурсов «доказывают», что правильно подобранные комплектующие работают отлично и без настройки, чего нельзя сказать о тех конфигурациях, где экономят на процессоре, а потом пытаются выжать из него все, чтобы он хоть как-то раскрыл потенциал видеокарты.
Итак, нужен ли максимальный разгон ОЗУ для обычного геймера и стоит ли гнаться за дорогими чипами? Или же достаточно купить бюджетную железку с хорошей частотой с завода и пользоваться без зазрения совести? Проверим на практике.
Конфигурация:
реклама
Тестируем
реклама
Почти 10% бесплатной производительности. Если этого мало, внимание на график кадров. Есть разница? А теперь смотрим на цифру с минимальным фпс. Это один из плюсов правильной настройки ОЗУ. В играх пропадают просадки и рывки, график кадров становится плавнее.
И снова ситуация повторяется, хотя разница не столь очевидна. Минимальное количество кадров выше, средний фпс тоже.
реклама
Всеми забитая Horizon Zero Dawn. Что там говорят в интернете? Просадки, играть невозможно? Да, любители ХМР и «разгон ничего не дает» могут играть на 5 кадрах и дальше.
Вот, где интересная заварушка. RDR2 на DirectX12 ведет себя очень своенравно. Сколько прогонов не делай, всегда разные цифры. VULKAN не тестировали.
Для интереса, Fire Strike Ultra. Разница не выдающаяся, но тоже имеет место быть.
Вывод
Да, настройка памяти прибавляет производительность не только в рабочих задачах, но и в играх. И, если средний фпс может варьироваться в пределах 2-3%, то минимальное количество кадров требует к себе особого внимания. Наверное, все замечают просадки, и как это не комфортно, особенно в играх, где плавность и скорость отклика играет первостепенную роль.
Крайнее средство. Нюансы разгона оперативной памяти
Бесплатно добиться от системы дополнительного быстродействия всегда приятно — именно поэтому люди занимаются разгоном. Однако в первую очередь оверклокеры разгоняют процессор и видеокарту, поскольку опыты над этими компонентами дают наибольший прирост скорости. Память обычно оставляют на десерт или не трогают вовсе. Одних останавливает тот факт, что разгонять оперативку сложно, других — что процесс этот дарует совсем незначительный бонус к производительности. Случается даже, что разгон памяти виден в бенчмарках и некоторых приложениях и абсолютно не виден в играх. Но для тех, кто в любом случае хочет выжать из своей системы все соки, «Игромания» публикует ликбез по разгону памяти.
Многогранная
В сравнении с обычной SDRAM память типа DDR обладает удвоенной пропускной способностью, что и отображено в ее названии — Double Data Rate.
Как и в случае с другими компонентами системы, процесс разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками (таймингами).
Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше! Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы. Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.
В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM, которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость. В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти. Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то не удивляйтесь, это нормально.
Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило, придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.
Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги), и это, определенно, тема для отдельной главы.
Без спешки
Таймингов у оперативки на самом деле много, но нашего внимания заслуживают лишь четыре из них.
Итак, задержки — или тайминги. Прежде чем объяснить, что это такое, не помешает ознакомиться с архитектурой памяти DDR.
Для хранения простейшей единицы информации (бита) в чипах DDR используется ячейка, представляющая собой сочетание транзистора и конденсатора. Подобных ячеек в каждой микросхеме памяти огромное множество. Они выстраиваются в строки и столбцы, которые в конечном счете образуют массивы, называемые банками. Поскольку чипы DDR относятся к динамическому типу памяти, их содержимое необходимо периодически обновлять (подзаряжать), иначе записанная в них информация будет утеряна.
Взаимодействием с ОЗУ занимается так называемый контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно — должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.
Мануал к материнской плате — полезное чтиво, если вы еще не излазили BIOS вдоль и поперек.
Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них. Конкретно — CAS Latency, RAS-to-CAS Delay, Row Precharge Time и Row Active Time. Именно таков их порядок по степени значимости, и именно в такой последовательности они располагаются в BIOS материнских плат и в описаниях к модулям памяти. Например, в технических характеристиках плашек Kingmax DDR3 2400 MHz Nano Gaming RAM есть строка «10-11-10-30» — так вот, это и есть тайминги. Первая цифра показывает значение CAS Latency, вторая — RAS-to-CAS Delay и так далее.
Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay.
Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек (ее длина зависит от типа памяти и дополнительных настроек) команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов — эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти. После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки.
Иногда для оживления материнской платы после переразгона требуется вынуть из нее на некоторое время батарейку.
А где же два других тайминга? Первый, Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов — за этот интервал и отвечает Row Precharge Time. Ну а тайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay, CAS Latency и длины считываемой строки, однако обычно ее значение подбирают простым сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности.
Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом, так что рассматривать этот процесс подробно мы не станем. Также не будем акцентировать внимание на дополнительных настройках памяти вроде длины строки и вторичных таймингов — слишком уж незначительно их влияние на общее быстродействие системы. Эти параметры будут интересны оверклокерам, идущим на рекорд, а вовсе не простым пользователям.